Seoul, Korea (ots) – Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei innovativer Speichertechnologie, hat mit der Massenproduktion des industrieweit ersten dreidimensionalen (3D) Vertical NAND (V-NAND) Flash Memory begonnen. Das neue 3D V-NAND Flash Memory durchbricht die aktuelle Skalierungsgrenze bestehender NAND-Flash-Technologie und bietet Verbesserungen hinsichtlich Leistungsfähigkeit und Platzbedarf. Eingesetzt wird das neue 3D V-NAND Flash Memory in […]
Samsung startet Massenproduktion des industrieweit ersten 3D Vertical NAND Flash Memories (BILD)
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